一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  公司已在本报告中详细阐述在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之五“风险因素”。

  五、 公司负责人宗艳民、主管会计工作负责人Teo Nee Chuan及会计机构负责人（会计主管人员）游樱声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

  本报告涉及未来计划等前瞻性陈述，不构成公司对投入资产的人的实质性承诺，敬请投资者注意投资风险。

  十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

  东台睿晨企业管理服务中心（有限合伙），原广东睿晨股权投资合伙企业（有 限合伙）

  广州众海泰昌创业投资合伙企业（有限合伙），原广州众海泰昌投资合伙企 业（有限合伙）

  扬州正为卓岳股权投资合伙企业（有限合伙），原辽宁正为一号高科技股权 互助基金合伙企业（有限合伙）

  Silicon Carbide，碳和硅的化合物，一种宽禁带半导体材料，俗称第三代 半导体材料之一

  沿特定的结晶方向将晶体切割、研磨、抛光，得到具有特定晶面和适当电学、 光学和机械特性，用于生长外延层的洁净单晶圆薄片

  Schottky Barrier Diode，即肖特基势垒二极管，利用金属和半导体接触形 成的金属-半导体结原理制作的一种热载流子二极管，也被称为金属-半导体

  用半导体材料制造成的一种功率器件，具有单向导电性能，应用于各种电子电 路中，实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的 稳压等多种功能

  Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体 场效应晶体管，是一种可以普遍的使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管

  Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极性晶体管，一 种电力电子行业的常用半导体开关器件

  通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容 器等无源原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳 内，执行特定功能的电路或系统

  根据光电效应制作的器件，主要种类包括光电管、光敏电阻、光敏二极管、 光敏三极管、光电池、光电耦合器件等

  单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导体器件有二 极管、三极管、光电器件等

  在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导带之间的能量 范围。禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。 第三代半导体因具有宽禁带的特征，又称宽禁带半导体

  碳化硅晶片的一种缺陷，是晶片中延轴向延伸且径向尺寸在一微米至十几微 米的中空管道

  Yole Développement,位于法国的一家专门干半导体及软件、电源与无线 网络、传感及成像领域的知名行业咨询机构，拥有超过20多年的历史，其 主要提供市场分析、技术评估以及商业企划等咨询服务

  报告期内，公司实现营业收入 91,223.21 万元，较上年同期增加 108.27%；归属于上市公司股东的净利润 10,188.83 万元，较上年同期增加 241.40%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润9,622.61万元，较上年同期增加187.16%。

  报告期内，得益于碳化硅半导体材料在新能源汽车及风光储等应用领域的持续渗透，下游应用市场持续扩大，终端对高品质、车规级产品的需求旺盛。公司导电型产品产能产量持续提升，产品交付能力持续增加，随着新建产能的利用率提升，产能规模的扩大，盈利能力提高。使得公司实现营业收入较上年同期有较大幅度增长，归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润较上年同期扭亏为盈，基本每股盈利、稀释每股盈利、扣除非经常性损益后的基本每股收益较上期增加。

  报告期内，公司营收规模增长较快，产能提升导致的存货储备、职工薪酬等经营支出增加，影响经营活动产生的现金流量净额同比减少。

  计入当期损益的政府救助，但与公司正常经营业务密切相 关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损 益产生持续影响的政府补助除外

  除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金 融企业持有金融实物资产和金融负债产生的公允市价变动损益 以及处置金融实物资产和金融负债产生的损益

  企业取得子公司、联营企业及合资经营企业的投资所需成本小于取 得投资时应享有被投资单位可辨认净资产公允市价产生的 收益

  对于现金结算的股份支付，在可行权日之后，应付职员薪 酬的公允市价变动产生的损益

  对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 √适用 □不适用

  根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴起的产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。

  公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要是做碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可大范围的应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的未来市场发展的潜力，是半导体产业重要的发展方向。

  公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G 通信、汽车电子等领域知名客户。

  公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际有名的公司合作。

  公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，一同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关，助力长三角一体化高质量加快速度进行发展，用科学技术创新发展新质生产力。

  截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发明专利授权14项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉，并于2019年获得了“国家科学技术进步一等奖”。

  全球能源电气化、低碳化的发展的新趋势明确，2024年上半年全球第三代半导体行业发展保持了强劲势头。碳化硅衬底材料作为第三代半导体行业基石，在电动汽车，光伏新能源、储能、充电桩等终端需求带动下，以及电动汽车800V高压平台的加速推进，进入战略机遇期。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略布局。

  2024年上半年，国际市场对高品质导电型碳化硅衬底的需求旺盛，在新能源汽车行业规模化应用，并向其他各领域应用渗透拓展。全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。

  公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，建立领先竞争优势。

  公司将始终以客户为中心，持续进行研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场占有率，致力于成为国际著名的半导体材料公司。

  通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层，制得碳化硅 同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等 功率器件，应用在新能源汽车，轨道交通以及大功率输电变 电等领域。

  通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化 硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等微波射频器件，应 用于信息通讯、无线电探测等领域。

  公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，具体流程如下： （1）需求提交与论证

  公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调查与研究及调研结果分析或者收集的客户的真实需求，并进行清晰准确的描述后提交需求申请。

  研发中心选定项目负责人及项目组成员。项目负责人编写《项目立项报告》，内容有项目名称、项目启动背景、可行性分析、项目目标、项目财务预算等。

  项目组根据项目需求编写研发设计的具体方案，细化实验方案和实验计划等，并根据设计的具体方案完成实验验证。项目组根据实验结果编写各类研发文件，由专人保管，并安排专人进行项目全过程管理，及时跟进检查各进度节点的完成情况，确保项目按照计划顺利开展。

  项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编制《项目验收报告》并交至研发中心审核。项目验收后，研发中心评估研发成果，采取多种手段保护知识产权。

  公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品的质量的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。

  公司实行以订单生产（MakeToOrder）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产的全部过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依照客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足多种客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品的质量一致性和客户满意程度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。

  公司主要采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术上的支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调查与研究及公司产品推广等营销工作。

  公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。

  公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断的提高，与晶体生长控制软件系统结合，能轻松实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。

  碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不一样类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不一样晶体的生长技术需求。

  碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。

  半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。

  公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的 C/Si 组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。

  碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。

  公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。

  单晶 SiC 材料的莫氏硬度为 9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。

  由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。

  公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。

  CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。

  报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共33项，其中发明专利27项，实用新型6项。

  截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发明专利授权14项。

  研究碳化硅单晶生长及 加工技术，实现高品质 碳化硅单晶衬底的技术 突破及产业化

  研制出低成本碳化硅 衬底材料，满足高性 能射频滤波器用碳化 硅基多层压电复合薄 膜材料研究需要。

  提高碳化硅衬底的加 工质量和良率，降低 衬底材料损耗。在 5G 通讯和电动汽车方面 有着广阔的应用前 景。

  实现高质量、低成本p 型4H-SiC衬备， 为高压大功率器件设 计和制造提供更好的 材料基础，更好地推 动碳化硅半导体产业 链快速发展。

  研究大尺寸高品质碳化 硅衬备生长技术， 满足新能源汽车等领域 需求

  碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有极高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新性的工作，同时需要获取海量的技术数据积累，以完成各工艺环节的精准设计。公司自成立以来，专注于碳化硅单晶半导体的制备技术，经过十余年的技术发展，自主研发出2-8英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不一样的尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不一样的尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术；较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全世界少数能批量供应高质量 4 英寸、6 英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业；公司自成立以来，同时布局导电型碳化硅衬底的研发和产业化；通过持续技术积累实现了6英寸导电型碳化硅衬底批量销售，并自主扩径已完成高品质8英寸导电型碳化硅衬备。

  公司坚持自主研发创新，力争实现全流程知识产权覆盖，逐渐完备知识产权保护体系，构建完整的技术保护网。公司于2018年被评为国家知识产权优势企业，于2022年被评为国家知识产权示范企业。截至 2024年 6 月末，公司及下属子公司拥有授权专利 483 项，其中发明专利授权181项，含境外发明专利授权14项，专利技术覆盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检验等每个技术环节，并建立了完整有效的知识产权保护机制。同时，公司高度尊重全世界内的知识产权，持续通过专利分析导航来进行预警和完善专利布局。

  在商标注册方面，公司在多类别注册了“SICC”及“天岳”商标，并在海外多个国家或地区注册了“SICC”商标，对公司品牌进行保护。

  公司自建立以来，承担了多项国家及省部级重大科研项目，包括国家重点研发计划、山东省重点研发计划、山东省重大科学技术创新工程等国家及省部级项目20余项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖、2020年获得山东省科学技术进步一等奖、2014年获得山东省技术发明一等奖、2017年获得济南市科技进步一等奖。此外，公司于2015年完成了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产品鉴定、2017年完成了6英寸导电型碳化硅衬底科技成果鉴定和产品鉴定，2023年公司宣布业内首创完成了8英寸导电型碳化硅衬底的液相法制备。目前公司衬底产品性能及核心指标达到国内领先、国际先进水平。

  公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省级研发平台、山东省碳化硅材料重点实验室。公司强大的科研实力，不仅促进了碳化硅产业的技术进步和结构调整，同时支撑了地方现代化经济体系建设，提升了区域经济的创新力和竞争力。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，共同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关、助力长三角一体化高质量快速发展，用科学技术创新发展新质生产力。

  公司在生产方面具有先发优势与规模优势。作为国内较早从事碳化硅衬底业务的生产企业，公司具有丰富的技术储备和生产管理经验、较强的产品质量控制能力和领先的产能规模。随着公司上海临港工厂投产，公司高品质碳化硅半导体材料的产能产量将继续提高，进一步巩固领先的规模优势。

  碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试实现最终应用，整个工艺链条生产验证环节复杂、验证周期长。作为上游的关键衬底材料，下游客户一旦通过验证，一般不会轻易变更衬底材料的供应商。

  公司在国内较早实现了碳化硅衬底的批量供应，并且产品参数指标优异、性能不断提升，经过了下游企业的长期验证，产品品质得到了客户的高度认可。

  公司作为国内较早从事碳化硅衬底业务的企业，公司产品已批量供应至国内外知名企业。公司是国际上少数几家能同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。公司8英寸导电型产品、6英寸导电型产品、6英寸半绝缘产品、4英寸半绝缘产品实现批量供应，形成了较强的客户资源优势，确保了公司在行业内的领先地位。

  碳化硅衬底技术开发和产业化生产需要大量专业的技术人才和管理人才。公司始终重视人才队伍的建设，通过自主培养和引进各类技术和管理人才，提高技术开发能力和生产能力。公司通过技术科研平台不断吸引业内优秀人才加入，公司研发团队成员主要由来自国内顶尖高校的优秀硕士、博士组成，承担并顺利完成了多项国家及省部级重大课题，同时完成了从产品开发到产业化转化的过程，在技术开发和规模化生产过程中积累了大量的实战经验，可以保证后续各项技术开发工作的顺利进行。

  (二) 报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施 □适用 √不适用

  近年来，全球能源电气化、低碳化的发展趋势，推动第三代半导体行业继续展现增长势头。

  碳化硅在电动汽车领域的大规模应用，带动其在其他终端场景应用的持续拓展。目前，电动汽车领域仍是碳化硅占比第一的应用领域，而在风光新能源、电网、数据计算中心、低空飞行等领域，碳化硅技术也表现出突出的发展趋势。

  碳化硅技术能够助力电动汽车整体性能提升，并能降低整体系统成本，碳化硅器件在电动汽车中的渗透率仍在提高，全球市场对高品质车规级碳化硅衬底需求旺盛。下游应用场景加速渗透的背景下，第三代半导体行业发展远超市场预期。

  全球主要国家纷纷加大了在碳化硅半导体领域的战略布局，英飞凌、意法半导体、安森美、博世、罗姆等国际上一线大厂均加大了对碳化硅业务的长期资本开支，碳化硅行业未来具有广阔的发展潜力。

  碳化硅衬底材料是第三代半导体行业的基石。公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，持续建立领先竞争优势。

  以公司为代表的碳化硅衬底材料研发、制造企业，以高品质衬底产品的大规模供应能力，推动碳化硅产业加速发展。

  2024年上半年，公司继续专注于长远发展战略目标的实现，持续拓展国内外客户群体，加强与全球头部客户长期战略合作，加大前瞻性技术布局和人才培养，致力于成为国际著名的半导体材料公司。

  1、聚焦全球市场，持续提升高品质衬底的产能产量布局。2024年上半年，公司上海临港工厂已经能够达到年产30万片导电型衬底的大规模量产能力。

  公司2024年上半年实现营业收入9.12亿元，较上年同期增长108.27%。公司连续9个季度保持营收增长趋势。上半年实现归母净利润10,188.83万元，较上年同期扭亏为盈。一方面得益于下游应用市场持续扩大，终端场景对高品质、车规级的产品需求旺盛；另一方面，公司与国内外一线大厂具有良好的合作基础，公司导电型产能产量持续提升，交付能力继续增强。

  公司对碳化硅技术在下游应用领域市场规模的长期增长充满信心。公司已经制定战略规划，将继续稳步推进临港工厂第二阶段产能提升。

  2、在客户和市场方面，公司继续加强与国内外知名客户开展长期合作，并已成功切入国际大厂的供应链。公司在产品稳定性、一致性上获得国际一线客户认可，包括与英飞凌、博世、安森美等多家国际头部大厂进行了合作。在国内，公司已经与行业内下游环节的主要企业开展合作，一同推动国内第三代半导体的发展。

  2023年公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际有名的公司签署了新的长期合作协议。公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同时公司还将助力英飞凌向8英寸产品转型。

  截至目前，全球前十大功率半导体企业超过 50%已成为公司客户，公司致力于与客户一同推动碳化硅技术在更多领域的渗透应用。

  公司继续加大与国内下游客户的合作。受益于我国电动车渗透率和市场规模的提升，以及电动车领域我国已展现的主导地位，国内下游器件厂商和终端应用厂商对电动汽车核心功率器件的布局加速，国内碳化硅产业链的发展已进入新的机遇期。