随着科技的迅猛发展，氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，正受到慢慢的变多的关注。其在射频电子器件中的应用，因其具有高功率、高效率和高可靠性等显著优势，在雷达、卫星和通信基站等多个领域展现出巨大的市场潜力。2024年11月18日至21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS 2024）及其子展会将在苏州国际博览中心盛大召开，其中“氮化镓射频电子器件与应用”分会的日程也已正式发布。

  该分会受到多家有名的公司和机构的协办支持，包括深圳市汇芯通信技术有限公司及其国家5G中高频器件创新中心、北京国联万众半导体科技有限公司等。这一些企业的参与，标志着产业界对氮化镓技术的重视与期待。会议特别邀请了来自各大高校和研究机构的专家如中国电子科技集团第五十八所所长蔡树军、香港科技大学教授俞捷等，一同探讨氮化镓射频电子器件的前沿技术与发展趋势。

  氮化镓器件的核心优点是其能在高电压和高温环境下工作，相比于传统的硅基器件，性能更出色。这种特性使得氮化镓器件在5G通信和物联网等新兴应用领域具有极大的市场需求。同时，氮化镓技术在提高频率、减小体积以及降低能耗方面也展现出优越性，合理应用氮化镓器件将为未来的电子科技类产品带来革命性的变化。

  在此次大会上，分会重点讨论的主题将涵盖氮化镓功率电子器件的最新进展以及有关技术应用的案例。参加会议的专家将分享在射频功放、开关电源及其他应用领域中氮化镓器件的实际使用体验，分享前沿的研究成果与市场动态。需要我们来关注的是，来自小米通讯技术有限公司的高级硬件研发工程师孙跃，将探讨其在5G设备中嵌入氮化镓技术的实践，这无疑将为行业同仁提供重要的借鉴与参考。

  此外，随着AI技术的崛起，氮化镓器件的集成越来越频繁。AI绘画和AI写作等工具的使用，开始在电子设计自动化（EDA）等领域展现出巨大的潜力。有效利用AI将帮助设计师在氮化镓设备的开发中提升效率、缩短周期，甚至实现硬件设计的自动化，这一切都将在大会上被详细讨论。

  该分会的日程正在一直更新，除了氮化镓射频电子器件的深入探讨外，还有关于碳化硅衬底、功率模块与电源技术应用的峰会，即将同步进行。参与者能够得到丰富的行业知识，帮他们在加快速度进行发展的科技领域中把握未来机遇。

  总之，IFWS 2024的“氮化镓射频电子器件与应用”分会将为与会者提供一个交流与学习的平台，促进氮化镓有关技术的传播与应用，为推动新一代半导体技术的发展作出贡献。关注氮化镓，洞察未来科技发展的新趋势，是每一位行业专家与从业者的重要使命。返回搜狐，查看更加多