在5G年代好像被BAW夺去光辉的SAW滤波器，其实仍然占有滤波器出货量与货值的过半商场。

  频率更低的SAW滤波器，乍一看技能难度不如BAW道路，但由于相关频段更为拥堵，在体系级集成规划才能有更加高的要求，与此同时，职业巨子村田，在该范畴的专利壁垒，也远较多寡头格式下的BAW更为紧密。

  现在，大部分进入滤波器事务的国内企业，都挑选了SAW范畴作为打破口，在中低端产品上发挥国产代替的价值，不过中低端商场企业定价才能的天然下风，为相关企业向上打破带来了约束。

  一方面，低端SAW滤波器的价格战，使企业难以进步毛利，拉长了前期出资的回收期；另一方面，上游中心资料-钽酸锂（LT）、铌酸锂（LN）晶体压电衬底，却牢牢操纵在住友化学、信越化学等日本企业手中，我国滤波器厂商辛苦打拼的赢利，却经过高价衬底基片回流到日本企业。

  国内虽然已有院所和企业开始把握了LN\LT晶体的黑化复原等高端技能，但质量、产值与本钱，仍然无法与日本企业抗衡，往往仅在IDM企业内部消化，难以构成撬动上游工业格式的有用杠杆。

  面临5G甚至6G潮流，和来自我国企业的低端产品竞赛，职业首领村田的挑选，是在高端SAW滤波器技能上发力。

  传统SAW滤波器很难做到1.8GHz以上频率，而村田的IHP-SAW技能，能轻松完成2.5-3GHz甚至更高的频率功能。

  现在，也有国内组织正在跟进村田的动作，从不同切入点发掘表面波SAW技能道路的潜力。

  （FBAR不规则多边形的布局特色，以确保横波反射次数削减，进步谐振器质量因子）

  西南科技大学微体系中心高杨团队，就在梳理了村田IHP-SAW的技能演进特色后，斗胆选用氮化铝基新式导波层压电资料体系及异质声学层（HAL）结构衬底的最新效果，使用铝钪氮资料试制的HAL结构谐振器，在未经优化的情况下已与村田揭露的数据看齐。

  高杨还曾进一步展望称，IHP-SAW带动的HAL结构风潮和氮化铝资料体系，或将不坚定信越化学等厂商在传统SAW所需的钽酸锂、铌酸锂等单晶基板范畴独占位置，根据氮化铝晶圆的HAL结构器材，将深入革新SAW工业生态。

  值得一提的是，高杨团队还与昂瑞微（汉全国）一起组建了智能微体系联合实验室，打通了研究效果快速工业化的通道，后者同样是国内5G射频芯片赛道的活泼玩家，取得华为与小米两大厂商入股，其产品已在荣耀50手机上得到使用。

  中科院上海微体系所欧欣研究员团队，则使用“全能离子刀”剥离与键合搬运技能，打破晶格失配等问题，将亚微米厚度的单晶铌酸锂薄膜从铌酸锂晶圆剥离并搬运到高声速、高导热的碳化硅（SiC）晶圆，初次制备了4英寸Ln/SiC压电异质衬底，可完成更有用的声波能量和电场能量束缚、进步器材散热、下降器材热膨胀，然后明显进步射频声波器材功能与规划自由度。根据该衬备的高频器材，打破了传统SAW器材的频率约束。有望使用于5G N77和N79频段。

  在SAW战场上，国内产学研组织“奇兵”，现已探索到了向5G甚至6G打破的曙光。